Neue Generation von Energiesparchips
Der weltweit steigende Energiebedarf treibt die Entwicklung von immer leistungsfähigeren und effizienteren Energiesparchips voran. Das europäische Forschungsprojekt „PowerBase“ mit 87 Millionen Euro Projektvolumen und 39 Partnern aus neun Ländern beschäftigte sich drei Jahre mit der Entwicklung solcher Chips, koordiniert wurde das Forschungsprojekt von Infineon Austria mit Sitz in Villach.
Im Rahmen des Projektes wurde die nächste Generation von Energiesparchips entwickelt. Die neuen Leistungshalbleiter basieren nicht auf Silizium, sondern auf dem neuen Halbleitermaterial Galliumnitrid. Die neuen Chips wandeln Strom effizienter um, Energieverluste werden um die Hälfte reduziert.
Erste Halbleiter bereits am Markt
Die neuen Technologien sollen bald auf dem Massenmarkt für Konsumenten Anwendung finden. Erste Komponenten für Hochleistungsanwendungen wurden entwickelt, deren Produzierbarkeit demonstriert und damit die industriellen Voraussetzungen für den Einsatz am Massenmarkt erarbeitet. Die Chips sind sehr robust und können kurzfristig einer Durchbruchspannung von mehr als 1000 Volt standhalten.
Ein im Rahmen des Forschungsprojektes als Demonstrator entwickelter 600 Volt GaN-Leistungshalbleiter konnte mittlerweile erfolgreich am Markt platziert werden. Der Energiesparchip ist bereits in rund 20.000 Geräten des Projektpartners Eltek, einem Komplettanbieter gesicherter Stromversorgungen, verbaut.
Europa will Forschungskompetenz halten
Mit dem Forschungsprojekt habe Europa seine Kompetenz in der Entwicklung neuer Technologien gestärkt, sagte Sabine Herlitschka, Vorstandsvorsitzende der Infineon Technologies Austria AG: „In der Leistungselektronik gibt es eine Vielzahl von europäischen Kompetenzen, die durch eine fokussierte Zusammenarbeit wesentliche Wettbewerbsvorteile am globalen Markt bringen.“ Für Europa seien Innovation, führende Kompetenz in Schlüsseltechnologien und eine starke industrielle Basis wesentliche Erfolgsfaktoren im Wettbewerb mit anderen Wirtschaftsräumen.